Продукція > INFINEON > FF1200R12IE5PBPSA1
FF1200R12IE5PBPSA1

FF1200R12IE5PBPSA1 INFINEON

Infineon-FF1200R12IE5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015ab7d8024167c7 Infineon-FF1200R12IE5P-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015ab7d8024167c7 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+61128.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1200R12IE5PBPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FF1200R12IE5PBPSA1 за ціною від 48926.89 грн до 82205.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF1200R12IE5PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF1200R12IE5P_DataSheet_v03_01_CN-3446059.pdf IGBT Modules 1200 V, 1200 A dual IGBT module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+56458.41 грн
12+48926.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF1200R12IE5P-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015ab7d8024167c7 Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+82205.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1 FF1200R12IE5PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff1200r12ie5p-datasheet-v03_01-cn.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1 FF1200R12IE5PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff1200r12ie5p-datasheet-v03_01-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 10-Pin PRIME2-5 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12IE5PBPSA1 FF1200R12IE5PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF1200R12IE5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015ab7d8024167c7 Description: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.