FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 91934.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1200R12KE3NOSA1 за ціною від 85517.41 грн до 85517.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF1200R12KE3NOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF1200R12KE3NOSA1 - PP, IHM I, XHP 1,7KVtariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FF1200R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 5000000mW 10-Pin IHM130-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF1200R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF1200R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
товару немає в наявності |