FF1200R12KE3NOSA1

FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies


10268ds_ff1200r12ke3_2_1_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 5000W 10-Pin IHM130-2 Tray
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+91715.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF1200R12KE3NOSA1 за ціною від 85313.31 грн до 85313.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF1200R12KE3NOSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-FF1200R12KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43415c65f7e Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF1200R12KE3NOSA1 - PP, IHM I, XHP 1,7KV
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+85313.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1 FF1200R12KE3NOSA1 Виробник : Infineon Technologies 417db_ff1200r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 5000000mW 10-Pin IHM130-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1 FF1200R12KE3NOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF1200R12KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43415c65f7e Description: IGBT MODULE 1200V 5000W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R12KE3NOSA1 FF1200R12KE3NOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF1200R12KE3_DS_v02_01_en_de-2320443.pdf IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.