FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1200R12KE3NOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1200R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
товару немає в наявності |