FF1200R17IP5BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1200R17IP5BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1200R17IP5BPSA1 за ціною від 50271.84 грн до 65854.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF1200R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
FF1200R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
FF1200R17IP5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: PrimePACK 2 IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 1.2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| FF1200R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 10-Pin Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF1200R17IP5BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 50271.84 грн |
| FF1200R17IP5BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF1200R17IP5BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF1200R17IP5BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 10-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2KA 10-Pin Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 65854.69 грн |