FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies


FF1200R17KE3_B2_Rev2.1_2013-10-02.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 595000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 595000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF1200R17KE3NOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF1200R17KE3NOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF1200R17KE3_B2_Rev2.1_2013-10-02.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.6kA; 5.95kW; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 5.95kW
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3NOSA1 FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies 7551db_ff1200r17ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.6KA 5950W 10-Pin IHM130-2 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3NOSA1 FF1200R17KE3_B2_Rev2.1_2013-10-02.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.6kA; 5.95kW; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 5.95kW
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17KE3NOSA1 7551db_ff1200r17ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.6KA 5950W 10-Pin IHM130-2 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.