Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF1400R12IP4PBOSA1
FF1400R12IP4PBOSA1

FF1400R12IP4PBOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF1400R12IP4P-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46253e9fadc0153f02ac7813d20
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1400A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 82 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+42041.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1400R12IP4PBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75, Dauer-Kollektorstrom: 1.4, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75, Verlustleistung Pd: 7.65, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.65, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: PrimePACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Zweifach, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FF1400R12IP4PBOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF1400R12IP4PBOSA1 FF1400R12IP4PBOSA1 Infineon Technologies infineon-ff1400r12ip4p-ds-v03_02-ja.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 12-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R12IP4PBOSA1 FF1400R12IP4PBOSA1 INFINEON 2339716.pdf Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Dauer-Kollektorstrom: 1.4
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: 7.65
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.65
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R12IP4PBOSA1 infineon-ff1400r12ip4p-ds-v03_02-ja.pdf
FF1400R12IP4PBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4KA 12-Pin Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF1400R12IP4PBOSA1 2339716.pdf
FF1400R12IP4PBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Dauer-Kollektorstrom: 1.4
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: 7.65
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.65
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.