Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF150R12KE3GB2HOSA1
FF150R12KE3GB2HOSA1

FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies

FF150R12KE3G.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7356.08 грн
10+5582.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 780W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FF150R12KE3GB2HOSA1 за ціною від 9378.25 грн до 10629.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies infineonff150r12ke3gdsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10297.21 грн
10+9378.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies infineonff150r12ke3gdsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10297.21 грн
10+9378.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies infineonff150r12ke3gdsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+10629.90 грн
100+10098.25 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 infineonff150r12ke3gdsenjp.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10297.21 грн
10+9378.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 infineonff150r12ke3gdsenjp.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10297.21 грн
10+9378.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 infineonff150r12ke3gdsenjp.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+10629.90 грн
100+10098.25 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.