FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8446.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 780W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FF150R12KE3GB2HOSA1 за ціною від 9627.23 грн до 10912.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10570.58 грн |
| 10+ | 9627.23 грн |
| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10570.58 грн |
| 10+ | 9627.23 грн |
| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 10912.11 грн |
| 100+ | 10366.35 грн |



