FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies


FF150R12KE3G.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7307.38 грн
10+5566.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 780W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FF150R12KE3GB2HOSA1 за ціною від 7606.49 грн до 12139.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF150R12KE3GB2HOSA1 FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies FF150R12KE3G.pdf Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7606.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies 10250ds_ff150r12ke3g_3_2_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12139.84 грн
5+11774.46 грн
10+11562.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 FF150R12KE3G.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7606.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KE3GB2HOSA1 10250ds_ff150r12ke3g_3_2_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12139.84 грн
5+11774.46 грн
10+11562.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.