Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF150R12KS4HOSA1
FF150R12KS4HOSA1

FF150R12KS4HOSA1 Infineon Technologies

10248ds_ff150r12ks4_3_4_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10079.13 грн
10+8951.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF150R12KS4HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2, Dauer-Kollektorstrom: 225, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2, Verlustleistung Pd: 1.25, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 225, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FF150R12KS4HOSA1 за ціною від 9037.66 грн до 10176.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF150R12KS4HOSA1 FF150R12KS4HOSA1 Infineon Technologies 10248ds_ff150r12ks4_3_4_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10176.15 грн
10+9037.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4HOSA1 FF150R12KS4HOSA1 INFINEON FF150R12KS4.pdf Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 225
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 1.25
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 225
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4HOSA1 10248ds_ff150r12ks4_3_4_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf
FF150R12KS4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10176.15 грн
10+9037.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4HOSA1 FF150R12KS4.pdf
FF150R12KS4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 225
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 1.25
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 225
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.