Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF150R12KT3GHOSA1
FF150R12KT3GHOSA1

FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies

infineonff150r12kt3gdsenjp.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3303.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 225 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 780 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF150R12KT3GHOSA1 за ціною від 3539.88 грн до 9315.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF150R12KT3GHOSA1 FF150R12KT3GHOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff150r12kt3gdsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3539.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KT3GHOSA1 FF150R12KT3GHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF150R12KT3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43416bb5f82 Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7453.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KT3GHOSA1 FF150R12KT3GHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF150R12KT3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43416bb5f82 Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8149.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KT3GHOSA1 FF150R12KT3GHOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff150r12kt3gdsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+9315.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KT3GHOSA1 FF150R12KT3GHOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff150r12kt3gdsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KT3GHOSA1 FF150R12KT3GHOSA1 Виробник : Infineon Technologies 2429ds_ff150r12kt3g_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fi.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.