FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6306.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 225 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 780 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF150R12KT3GHOSA1 за ціною від 6537.83 грн до 11802.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 225A 780WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FF150R12KT3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |