
FF150R12RT4HOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5993.81 грн |
5+ | 5607.14 грн |
10+ | 5219.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12RT4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 790W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 790W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF150R12RT4HOSA1 за ціною від 8601.26 грн до 10690.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 790 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
товару немає в наявності |
|||||||||
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |