Продукція > INFINEON > FF150R12RT4HOSA1
FF150R12RT4HOSA1

FF150R12RT4HOSA1 INFINEON

INFNS28347-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 790W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 790W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6076.57 грн
5+5684.56 грн
10+5291.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF150R12RT4HOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 790W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 790W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FF150R12RT4HOSA1 за ціною від 8622.04 грн до 10716.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 241ds_ff150r12rt4_2_1_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10492.86 грн
5+9272.76 грн
10+8622.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 241ds_ff150r12rt4_2_1_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+10716.54 грн
25+10502.05 грн
100+10073.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 241ds_ff150r12rt4_2_1_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF150R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280604608b6165 Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 790 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12RT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF150R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280604608b6165 IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.