FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6200.26 грн |
| 5+ | 6137.57 грн |
| 10+ | 5704.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 5196.86 грн до 9779.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
FF17MR12W1M1H_B11 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
товару немає в наявності |