FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4377.91 грн |
| 10+ | 3502.38 грн |
| 120+ | 2920.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 6913.55 грн до 6913.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6913.55 грн |