FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4915.28 грн |
| 5+ | 4896.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 4915.28 грн до 11260.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 4915.28 грн |
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6711.28 грн |
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 11260.74 грн |
| 5+ | 11148.35 грн |
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)