FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7243.68 грн |
| 10+ | 6946.08 грн |
| 24+ | 5878.61 грн |
| 48+ | 5793.48 грн |
| 120+ | 5709.81 грн |
| 264+ | 5187.27 грн |
| 504+ | 5185.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1B.
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB17BPSA1 за ціною від 6384.95 грн до 8277.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyDUAL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1B |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|