FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4630.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB17BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyDUAL Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB17BPSA1 за ціною від 4087.00 грн до 6410.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyDUAL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EASY STANDARD |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|