FF17MR12W1M1HB17BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF17MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyDUAL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5833.87 грн |
| 5+ | 5560.92 грн |
| 10+ | 5287.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB17BPSA1 INFINEON
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1B.
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB17BPSA1 за ціною від 4067.30 грн до 8549.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EASY STANDARD |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1B |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|