FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB70BPSA1 за ціною від 4250.27 грн до 6341.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; 1.2kV; 50A; AG-EASY1B; SiC Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 16.2mΩ Technology: SiC Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: AG-EASY1B |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5841.51 грн |
| 24+ | 4250.27 грн |
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; 1.2kV; 50A; AG-EASY1B; SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 16.2mΩ
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: AG-EASY1B
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; 1.2kV; 50A; AG-EASY1B; SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 16.2mΩ
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 6341.73 грн |