FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB70BPSA1 за ціною від 4174.54 грн до 6358.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; 1.2kV; 50A; AG-EASY1B; SiC Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 16.2mΩ Technology: SiC Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: AG-EASY1B |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|