Технічний опис FF1800R12IE5PBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1800A MODULE, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98.5 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 Independent, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції FF1800R12IE5PBPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1800R12IE5PBPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF1800R12IE5PBPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)