Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF1800R12IE5PBPSA1
FF1800R12IE5PBPSA1

FF1800R12IE5PBPSA1 Infineon Technologies

infineonff1800r12ie5pdatasheetv0301en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.8KA 14-Pin Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+115248.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1800R12IE5PBPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 1800A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF1800R12IE5PBPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF1800R12IE5PBPSA1 FF1800R12IE5PBPSA1 INFINEON 3159559.pdf Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R12IE5PBPSA1 3159559.pdf
FF1800R12IE5PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.