Технічний опис FF1MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm.
Інші пропозиції FF1MR12KM1HHPSA1 за ціною від 27545.65 грн до 56786.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFETPackaging: Tray |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF1MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF1MR12KM1HHPSA1 |
|
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28788.68 грн |
| 10+ | 27545.65 грн |
| FF1MR12KM1HHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 56707.20 грн |
| FF1MR12KM1HHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 56786.06 грн |
| FF1MR12KM1HHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF1MR12KM1HHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)