FF1MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45987.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF1MR12KM1HHPSA1 за ціною від 46224.16 грн до 62325.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1MR12KM1HHPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF1MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF1MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF1MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF1MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP005861511 |
товару немає в наявності |