Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF1MR12KM1HPHPSA1
FF1MR12KM1HPHPSA1

FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF1MR12KM1HP-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a4c20537c8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30507.63 грн
16+29275.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 475A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm.

Інші пропозиції FF1MR12KM1HPHPSA1 за ціною від 53240.85 грн до 57869.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF1MR12KM1HPHPSA1 FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies infineonff1mr12km1hpdatasheetv0030en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53240.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies infineon-ff1mr12km1hp-datasheet-v00_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+57869.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 FF1MR12KM1HPHPSA1 INFINEON 4018768.pdf Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 infineonff1mr12km1hpdatasheetv0030en.pdf
FF1MR12KM1HPHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+53240.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 infineon-ff1mr12km1hp-datasheet-v00_30-en.pdf
FF1MR12KM1HPHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+57869.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1MR12KM1HPHPSA1 4018768.pdf
FF1MR12KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.