FF1MR12KM1HSHPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 29599.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1MR12KM1HSHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 395 A, 1.2 kV, 2200 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 395A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Інші пропозиції FF1MR12KM1HSHPSA1 за ціною від 29244.55 грн до 38729.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1MR12KM1HSHPSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET Modules MEDIUM POWER 62MM |
на замовлення 4 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||
 |
FF1MR12KM1HSHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 395 A, 1.2 kV, 2200 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 395A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF1MR12KM1HSHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules MEDIUM POWER 62MM
MOSFET Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 4 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38729.33 грн |
| 10+ | 29244.55 грн |
| FF1MR12KM1HSHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 395 A, 1.2 kV, 2200 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 395A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 395 A, 1.2 kV, 2200 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 395A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)