FF1MR12MM1HB11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 51787.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1MR12MM1HB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF1MR12MM1HB11BPSA1 за ціною від 45222.65 грн до 61901.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
товару немає в наявності |