FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53137.77 грн |
| 12+ | 46049.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 470 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF1MR12MM1HPB11BPSA1 за ціною від 59276.50 грн до 59276.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1MR12MM1HPB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF1MR12MM1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 470 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: EconoDUAL 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|