FF2000UXTR23T2M1BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 200343.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2000UXTR23T2M1BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 710A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF2000UXTR23T2M1BPSA1 за ціною від 211593.30 грн до 217538.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies Americas Corp. |
 Description: MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA Supplier Device Package: AG-XHP2K23 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 710A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|