FF2000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 548726.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 925A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF2000UXTR33T2M1BPSA1 за ціною від 555355.76 грн до 595403.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules XHP HV |
на замовлення 2 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 925A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203000pF @ 1.8kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5000nC @ 15V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 900mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SIC 3.300V, 1000A Module, Half Bridge |
товару немає в наявності |