Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: 3A228.c, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 925A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Інші пропозиції FF2000UXTR33T2M1BPSA1 за ціною від 433761.41 грн до 528463.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: 3A228.c Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 925A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 925A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203000pF @ 1.8kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5000nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 900mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433761.41 грн |
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 925A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203000pF @ 1.8kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5000nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 900mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
Description: MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 925A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203000pF @ 1.8kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5000nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 900mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 528463.26 грн |