FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7851.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 295A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.05kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 295A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF200R12KE3HOSA1 за ціною від 7921.90 грн до 11359.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM-1 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 295A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.05kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 295A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Bulk |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules Y |
товару немає в наявності |