Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF200R12KE3HOSA1
FF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF200R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b54b5d49
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9453.83 грн
10+7568.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.05kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 295A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 295A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FF200R12KE3HOSA1 за ціною від 9631.99 грн до 13079.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies infineonff200r12ke3dsv0301ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9631.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies infineonff200r12ke3dsv0301ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9738.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+10472.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies infineonff200r12ke3dsv0301ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11384.37 грн
100+10815.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 8025db_ff200r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileidd.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+13079.62 грн
25+12818.59 грн
100+12295.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 295A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 infineonff200r12ke3dsv0301ende.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+9631.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 infineonff200r12ke3dsv0301ende.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9738.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10472.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 infineonff200r12ke3dsv0301ende.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+11384.37 грн
100+10815.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 8025db_ff200r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileidd.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+13079.62 грн
25+12818.59 грн
100+12295.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 INFNS28353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 295A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.