Технічний опис FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 200A, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції FF200R12KE4PHOSA1 за ціною від 9419.57 грн до 9419.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF200R12KE4PHOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 9419.57 грн |