Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF200R12KE4PHOSA1
FF200R12KE4PHOSA1

FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies

infineonff200r12ke4pdsv0200ja.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+7772.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF200R12KE4PHOSA1 за ціною від 8439.15 грн до 8439.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff200r12ke4p-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+8439.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff200r12ke4p-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153e.pdf 62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff200r12ke4pdsv0200ja.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF200R12KE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e69514d8791d Description: IGBT MODULE 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF200R12KE4P_DS_v02_00_JA-3162658.pdf IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.