FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9000.64 грн |
| 10+ | 7515.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 1.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 275A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 275A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF200R12KS4HOSA1 за ціною від 11131.05 грн до 11131.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R12KS4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 1.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 275A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 275A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF200R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF200R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FF200R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товару немає в наявності |
||||||
| FF200R12KS4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.4kW Topology: IGBT half-bridge |
товару немає в наявності |