FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 275 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R12KS4PHOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| FF200R12KS4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.

