FF200R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R12KT3EHOSA1 за ціною від 10888.14 грн до 11460.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF200R12KT3EHOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 11460.95 грн |
| 100+ | 10888.14 грн |