Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF200R12KT3HOSA1
FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF200R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43417c15f86 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9173.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF200R12KT3HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 1050W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Not For New Designs, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF200R12KT3HOSA1 за ціною від 10600.52 грн до 10600.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF200R12KT3HOSA1 FF200R12KT3HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF200R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43417c15f86 Description: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+10600.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1 FF200R12KT3HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7948ds_ff200r12kt3_3_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b060.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1 FF200R12KT3HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7948ds_ff200r12kt3_3_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b060.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.