FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Power dissipation: 1.1kW
Case: AG-62MM-1
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9252.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Power dissipation: 1.1kW, Case: AG-62MM-1, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 400A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT.
Інші пропозиції FF200R12KT4HOSA1 за ціною від 7929.03 грн до 8742.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF200R12KT4 | Infineon Technologies |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FF200R12KT4 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8742.01 грн |
| 10+ | 7929.03 грн |