FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: AG-62MM-1, Electrical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Power dissipation: 1.1kW.
Інші пропозиції FF200R12KT4HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FF200R12KT4 | INFINEON |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| FF200R12KT4 | Infineon Technologies |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF200R12KT4 |
Виробник: INFINEON
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| FF200R12KT4 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)