Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5705.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1.1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 320A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FF200R12KT4HOSA1 за ціною від 4752.19 грн до 8871.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF200R12KT4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116199788351dc5 Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6145.51 грн
10+4752.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6531.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : INFINEON INFNS28358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7217.87 грн
5+6638.74 грн
10+6059.60 грн
50+5514.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+7253.36 грн
10+5902.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7837.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7857.43 грн
10+6393.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+8871.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff200r12kt4dsv0200en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF200R12KT4_DS_v02_00_EN-3361658.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.