FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5767.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R12KT4HOSA1 за ціною від 7667 грн до 10943.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FF200R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW |
товар відсутній |