Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5332.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF200R12KT4HOSA1 за ціною від 5447.46 грн до 9524.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF200R12KT4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd5730116199788351dc5 Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6945.43 грн
10+5447.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7013.81 грн
10+5770.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+7544.29 грн
10+6207.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7936.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+9115.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9524.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7652ds_ff200r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF200R12KT4_DS_v02_00_EN-3361658.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.