Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF200R17KE3HOSA1
FF200R17KE3HOSA1

FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF200R17KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fcc6c4d9c
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9670.12 грн
10+8256.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 310A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 310A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FF200R17KE3HOSA1 за ціною від 14925.10 грн до 14925.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies 780ds_ff200r17ke3_2_1.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14925.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3HOSA1 INFINEON INFNS28360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1 780ds_ff200r17ke3_2_1.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
FF200R17KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14925.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1 INFNS28360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R17KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.