FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12248.98 грн |
| 10+ | 11047.98 грн |
| 30+ | 10632.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 310A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 310A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції FF200R17KE3HOSA1 за ціною від 12186.07 грн до 13139.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R17KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF200R17KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 310A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF200R17KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FF200R17KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FF200R17KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |