FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9293.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R17KE3S4HOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FF200R17KE3S4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
FF200R17KE3S4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |