FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8902.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R17KE3S4HOSA1 за ціною від 8968.77 грн до 8968.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF200R17KE3S4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
FF200R17KE3S4HOSA1 |
товару немає в наявності |
||||||
| FF200R17KE3S4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module |
товару немає в наявності |