FF200R17KE4 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13173.89 грн |
| 10+ | 9962.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R17KE4 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: AG-62MM-1, Electrical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Power dissipation: 1.25kW.
Інші пропозиції FF200R17KE4 за ціною від 15043.90 грн до 15043.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| FF200R17KE4HOSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15043.90 грн |