FF200R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11612.17 грн |
| 10+ | 10509.82 грн |
| 20+ | 8845.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF200R17KE4HOSA1 за ціною від 12464.8 грн до 14957.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: AG-62MM-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: AG-62MM-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V |
товар відсутній |