FF200R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9577.91 грн |
| 10+ | 7930.51 грн |
| 100+ | 6082.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF200R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 310A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 310A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF200R17KE4HOSA1 за ціною від 9760.02 грн до 16811.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 310A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Semiconductor module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.7kV Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Semiconductor module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.7kV Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.25kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF200R17KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |