FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5685.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF225R12ME4BOSA1 за ціною від 5835.88 грн до 7272.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF225R12ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R12ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R12ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF225R12ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF225R12ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray |
товару немає в наявності |