FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF225R12ME4PB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FF225R12ME4PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



