FF225R12ME4PBPSA1

FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF225R12ME4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b3e4257d506a6 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7187.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF225R12ME4PBPSA1 за ціною від 10520.27 грн до 11191.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF225R12ME4PBPSA1 FF225R12ME4PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies 244infineon-ff225r12me4p-ds-v03_00-cn.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+11191.33 грн
25+10967.64 грн
100+10520.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4PBPSA1 FF225R12ME4PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies 244infineon-ff225r12me4p-ds-v03_00-cn.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4PBPSA1 FF225R12ME4PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies 244infineon-ff225r12me4p-ds-v03_00-cn.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4PBPSA1 FF225R12ME4PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF225R12ME4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b3e4257d506a6 Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4PBPSA1 FF225R12ME4PBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF225R12ME4P_DS_v03_00_CN-3446071.pdf IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.