FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 450A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7372.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF225R12ME4PBPSA1 за ціною від 8809.96 грн до 10093.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 450A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FF225R12ME4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module |
товару немає в наявності |