FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 20mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 225A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF225R17ME7B11BPSA1 за ціною від 12035.31 грн до 14555.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF225R17ME7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 225A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 13372.31 грн |
| 100+ | 12703.76 грн |
| 500+ | 12035.31 грн |
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 14555.98 грн |
| 100+ | 13827.68 грн |
| 500+ | 13100.69 грн |
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 225A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 225A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module
IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)