FF225R17ME7B11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 225A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6783.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF225R17ME7B11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 20mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF225R17ME7B11BPSA1 за ціною від 7342.84 грн до 12099.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF225R17ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF225R17ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF225R17ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FF225R17ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FF225R17ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FF225R17ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
товару немає в наявності |