FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7192.66 грн |
| 24+ | 6323.28 грн |
| 48+ | 6032.82 грн |
| 96+ | 5368.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції FF23MR12W1M1B11BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray |
товару немає в наявності |