на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 437097.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2600UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 720A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF2600UXTR33T2M1BPSA1 за ціною від 467866.98 грн до 467866.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 720A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005404848 |
товару немає в наявності |
||||||
 |
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152000pF @ 1.8kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 750A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3750nC @ 15V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 675mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 |
товару немає в наявності |