FF2600UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2600UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: 3A228.c, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 720A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Інші пропозиції FF2600UXTR33T2M1BPSA1 за ціною від 410820.35 грн до 437455.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33 Supplier Device Package: AG-XHP2K33 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 675mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3750nC @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 750A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152000pF @ 1.8kV Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules XHP HV |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 675mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3750nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 750A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152000pF @ 1.8kV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Description: MOSFET 2N-CH 3300V AG-XHP2K33
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 675mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3750nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 750A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152000pF @ 1.8kV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 410820.35 грн |
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules XHP HV
MOSFET Modules XHP HV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 437455.17 грн |