FF2MR12KM1HHPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34584.25 грн |
| 5+ | 33892.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12KM1HHPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF2MR12KM1HHPSA1 за ціною від 34419.89 грн до 56177.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |