FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39365.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-62MMHB, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V.
Інші пропозиції FF2MR12KM1HHPSA1 за ціною від 46118.21 грн до 56586.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
FF2MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |