Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF2MR12KM1HHPSA1
FF2MR12KM1HHPSA1

FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies

Infineon_FF2MR12KM1H_DataSheet_v00_20_EN-3367028.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+36558.48 грн
10+32083.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies

Description: MEDIUM POWER 62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-62MMHB, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V.

Інші пропозиції FF2MR12KM1HHPSA1 за ціною від 45951.26 грн до 49443.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies Description: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49443.07 грн
10+45951.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12KM1HHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+49443.07 грн
10+45951.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.