FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 64988.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA, Supplier Device Package: AG-62MM, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FF2MR12KM1HOSA1 за ціною від 59611.93 грн до 99868.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC Trench MOSFET 62mm Module |
на замовлення 48 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||
|
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MM Part Status: Obsolete |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF2MR12KM1HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC Trench MOSFET 62mm Module
MOSFET Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC Trench MOSFET 62mm Module
на замовлення 48 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 71202.41 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 81186.78 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 81186.78 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 99868.30 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 59611.93 грн |