
FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 51270.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA, Supplier Device Package: AG-62MM, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FF2MR12KM1HOSA1 за ціною від 55214.55 грн до 101026.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF2MR12KM1HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FF2MR12KM1HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MM Part Status: Obsolete |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FF2MR12KM1HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FF2MR12KM1HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |