FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 420A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23409.80 грн |
| 16+ | 21767.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF2MR12KM1HPHPSA1 за ціною від 39564.89 грн до 65834.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
FF2MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39564.89 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40002.56 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 65834.55 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)