FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 420A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23855.64 грн |
| 16+ | 22182.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF2MR12KM1HPHPSA1 за ціною від 32068.01 грн до 60481.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |