FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 750V 200A AG-EASY2B-3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 53 nF @ 50 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY2B-3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.18V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: EasyPack Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF300R08W2P2B11ABOMA1 за ціною від 6769.28 грн до 7125.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY PACK SI |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF300R08W2P2B11ABOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Module with EDT2 IGBT and Diode
Module with EDT2 IGBT and Diode
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 7125.18 грн |
| 100+ | 6769.28 грн |
| FF300R08W2P2B11ABOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Module with EDT2 IGBT and Diode
Module with EDT2 IGBT and Diode
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 7125.18 грн |
| 100+ | 6769.28 грн |
| FF300R08W2P2B11ABOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules EASY PACK SI
IGBT Modules EASY PACK SI
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF300R08W2P2B11ABOMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)