FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5212.67 грн |
| 10+ | 4704.94 грн |
| 105+ | 3546.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: EasyPack Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF300R08W2P2B11ABOMA1 за ціною від 5355.86 грн до 6477.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Module with EDT2 IGBT and Diode |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: EASY PACK AG-EASY2B-3 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.18V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 53 nF @ 50 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
товару немає в наявності |