FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: EASY PACK AG-EASY2B-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.18V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 53 nF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5748.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: EasyPack Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF300R08W2P2B11ABOMA1 за ціною від 4481.77 грн до 6897.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R08W2P2B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 1 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY PACK SI |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
FF300R08W2P2B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
товару немає в наявності |