FF300R12KE3

FF300R12KE3 Infineon Technologies


ds_ff300r12ke3_3_2_de-en-32370.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 300A DUAL
на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13657.09 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF300R12KE3 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Case: AG-62MM-1, Pulsed collector current: 600A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, Topology: IGBT half-bridge, Power dissipation: 1.45kW, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FF300R12KE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF300R12KE3
Код товару: 36055
Транзистори > IGBT
товар відсутній
FF300R12KE3 FF300R12KE3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: AG-62MM-1
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 1.45kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FF300R12KE3 FF300R12KE3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: AG-62MM-1
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 1.45kW
Mechanical mounting: screw
товар відсутній