FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1950 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.95kW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 370A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF300R12KS4HOSA1 за ціною від 13493.65 грн до 14254.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FF300R12KS4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95kW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 370A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 13493.65 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13605.95 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95kW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 370A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95kW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 370A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14229.02 грн |
| 5+ | 13944.50 грн |
| 10+ | 13659.99 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 14254.29 грн |




