FF300R12KT3EHOSA1

FF300R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF300R12KT3_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113b981ab7e0010 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+12690.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF300R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 480 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1450 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF300R12KT3EHOSA1 за ціною від 14445.66 грн до 14445.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ff300r12kt3_e_2_0_ja-en.pdffileiddb3a30433dd42dcf013dd54603770.pdf 62mm C-Series Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+14445.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KT3E.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF300R12KT3_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113b981ab7e0010 Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KT3E.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.