на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12483.31 грн |
| 25+ | 12109.04 грн |
| 100+ | 11734.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 480 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1450 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF300R12KT3EHOSA1 за ціною від 12483.31 грн до 13544.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF300R12KT3EHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
62mm C-Series Module |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FF300R12KT3EHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 480 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FF300R12KT3EHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 480 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
FF300R12KT3EHOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.45kW Topology: IGBT x2 |
товару немає в наявності |


