FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 450A 1600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9168.04 грн |
| 10+ | 8172.69 грн |
| 30+ | 7874.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1.6kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF300R12KT4HOSA1 за ціною від 10144.19 грн до 11254.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF300R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.6kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF300R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.6kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FF300R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 1600000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FF300R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.6kW |
товар відсутній |