FF300R17ME4 Infineon Technologies


Infineon_FF300R17ME4_DataSheet_v02_04_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules IGBT 1700V 300A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF300R17ME4 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Type of semiconductor module: IGBT, Collector current: 300A, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Power dissipation: 1.8kW, Technology: EconoDUAL™ 3, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 600A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: AG-ECONOD-3, Gate-emitter voltage: ±20V.

Інші пропозиції FF300R17ME4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF300R17ME4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R17ME4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 1.8kW
Technology: EconoDUAL™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME4BOSA1 FF300R17ME4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 1.8kW
Technology: EconoDUAL™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.