Технічний опис FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF33MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 1889.64 грн до 3291.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF33MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2933.36 грн |
| FF33MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 2933.36 грн |
| FF33MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2961.09 грн |
| 10+ | 2563.77 грн |
| 120+ | 1889.64 грн |
| FF33MR12W1M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3291.65 грн |
| 5+ | 2896.13 грн |