FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 2864.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF33MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 2102.41 грн до 3962.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFETPackaging: Tray |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|