Технічний опис FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm.
Інші пропозиції FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 за ціною від 2313.77 грн до 4261.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tray |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3341.72 грн |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3537.29 грн |
| 30+ | 2313.77 грн |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 4261.82 грн |
| 100+ | 4048.97 грн |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 4261.82 грн |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)