на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24114.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00444ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FF3MR12KM1HHPSA1 за ціною від 21883.82 грн до 28499.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF3MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHBPackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.44mOhm @ 280A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 112mA Supplier Device Package: AG-62MMHB |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FF3MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC Trench MOSFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FF3MR12KM1HHPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00444ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FF3MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FF3MR12KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC Trench MOSFET |
товару немає в наявності |